298 / 414
298
PD
(1970);
Aplicaţii ale statisticii la
controlul
calităţii sudurilor
(1972);
Rezistenţa cusăturilor
la sudarea oţelurilor slab aliate
(1972);
Oţeluri
pentru structuri sudate
(1974);
Sudarea cu ar-
cul electric
(1977);
Eficienţa producţiei de struc-
turi sudate
(1977);
Sudarea cu arcul electric
(1977);
Tehnologia proceselor de sudare cu arc
(1985);
Tehnologia sudării metalelor cu arcul
electric
(1988) ş.a.
Vicepreşedinte al Institutului
Internaţional de Sudură.
SILARD, ANDREI P.
(30 aprilie 1944,
Timişoara
– 30 iunie 1993,
Bucureşti), inginer
Membru corespondent – 23 martie 1993
Studii liceale la
Timişoara
şi universita-
re la Moscova (Facultatea de Electronică din ca-
drul Institutului Energetic, 1967) şi la Bucureşti
(Facultatea de Istorie, 1976). Tot în 1976 a obţi-
nut, în cadrul Institutului Politehnic din Bucureşti,
titlul de doctor inginer. Între 1967 şi 1974 a lucrat
ca inginer şi cercetător la Institutul de Cercetări
Electronice din Bucureşti, apoi la Institutul
Politehnic ca asistent (1974–1978), şef de lu-
crări (1978–1990), conferenţiar (1990–1991)
şi profesor (1991–1993) la Catedra de dispoziti-
ve, circuite şi aparate electronice a Facultăţii de
Electronică şi Telecomunicaţii. Pentru ridicarea
nivelului de pregătire al studenţilor, a întocmit
numeroase cursuri (
Aparate electronice de măsu-
ră şi control
, 2 vol.;
Aparate electronice de măsură
şi control. Îndrumător de laborator; Dispozitive şi
circuite electronice. Culegere de probleme; Diode
şi tiristoare de putere
ş.a.). Formaţia sa umanistă
i-a permis să predea şi cursuri de istorie contem-
porană şi de filosofia istoriei la Departamentul
de știinţe inginereşti, unde a funcţionat până
în 1990. În cercetările sale, a abordat proble-
me fundamentale ale domeniilor de dispozitive
electronice, obţinând rezultate originale în ca-
drul şcolii române de dispozitive electronice, de
fizica conductoarelor, circuite electronice şi opto-
electronice. Dintre realizările sale bazate pe con-
cepte originale se detaşează: tiristoare cu blocare
pe poarta de medie şi de mare putere cu două ni-
vele de interdigitare, care au constituit premiere
pe plan mondial; tranzistoare bipolare de putere
cu două nivele de interdigitare, având parametri
electrici amelioraţi şi o fiabilitate electrotehnică
ridicată în comparaţie cu dispozitivele din ace-
eaşi clasă realizate în variante clasice; variante
de tiristoare activate optic cu sensibilitate spo-
rită la amorsare şi imunitate internă la semnale
de zgomot; senzori optici pe siliciu monocristalin
cu răspuns spectral controlat; circuite electronice
pentru testarea dispozitivelor de putere; varian-
te ameliorate de circuite integrate analogice etc.
Numeroasele sale contribuţii ştiinţifice au fost
confirmate pe plan internaţional: formularea
unitară a teoriei distrugerii dispozitivelor semi-
conductoare de putere în regim de suprasarcină
şi verificarea experimentală; avansarea concep-
tului de „dublă interdigitare” sau „de două nivele
de interdigitare”; clasificarea teoretică a particu-
larităţilor câmpurilor electrice interne în jonc-
ţiuni semiconductoare de tip VLSI; elaborarea
unei noi teorii (realiste) a joncţiunii liniar-grada-
te; avansarea unei soluţii originale în proiectarea
şi realizarea celulelor solare de eficienţă sporită
pe siliciu monocristalin de arie mare fabricate
atât prin implantare ionică, cât şi prin difuzie etc.
Rezultatele cercetărilor sale se regăsesc în peste
100 de lucrări, studii şi comunicări publicate în
ţară şi în străinătate. Membru al Institutului de
Inginerie Electronică din S.U.A. A fost distins cu
Premiul „Traian Vuia” al Academiei Române.