Viata academica in Banat
298 PD (1970); Aplicaţii ale statisticii la controlul calităţii sudurilor (1972); Rezistenţa cusăturilor la sudarea oţelurilor slab aliate (1972); Oţeluri pentru structuri sudate (1974); Sudarea cu ar- cul electric (1977); Eficienţa producţiei de struc- turi sudate (1977); Sudarea cu arcul electric (1977); Tehnologia proceselor de sudare cu arc (1985); Tehnologia sudării metalelor cu arcul electric (1988) ş.a. Vicepreşedinte al Institutului Internaţional de Sudură. SILARD, ANDREI P. (30 aprilie 1944, Timişoara – 30 iunie 1993, Bucureşti), inginer Membru corespondent – 23 martie 1993 Studii liceale la Timişoara şi universita- re la Moscova (Facultatea de Electronică din ca- drul Institutului Energetic, 1967) şi la Bucureşti (Facultatea de Istorie, 1976). Tot în 1976 a obţi- nut, în cadrul Institutului Politehnic din Bucureşti, titlul de doctor inginer. Între 1967 şi 1974 a lucrat ca inginer şi cercetător la Institutul de Cercetări Electronice din Bucureşti, apoi la Institutul Politehnic ca asistent (1974–1978), şef de lu- crări (1978–1990), conferenţiar (1990–1991) şi profesor (1991–1993) la Catedra de dispoziti- ve, circuite şi aparate electronice a Facultăţii de Electronică şi Telecomunicaţii. Pentru ridicarea nivelului de pregătire al studenţilor, a întocmit numeroase cursuri ( Aparate electronice de măsu- ră şi control , 2 vol.; Aparate electronice de măsură şi control. Îndrumător de laborator; Dispozitive şi circuite electronice. Culegere de probleme; Diode şi tiristoare de putere ş.a.). Formaţia sa umanistă i-a permis să predea şi cursuri de istorie contem- porană şi de filosofia istoriei la Departamentul de știinţe inginereşti, unde a funcţionat până în 1990. În cercetările sale, a abordat proble- me fundamentale ale domeniilor de dispozitive electronice, obţinând rezultate originale în ca- drul şcolii române de dispozitive electronice, de fizica conductoarelor, circuite electronice şi opto- electronice. Dintre realizările sale bazate pe con- cepte originale se detaşează: tiristoare cu blocare pe poarta de medie şi de mare putere cu două ni- vele de interdigitare, care au constituit premiere pe plan mondial; tranzistoare bipolare de putere cu două nivele de interdigitare, având parametri electrici amelioraţi şi o fiabilitate electrotehnică ridicată în comparaţie cu dispozitivele din ace- eaşi clasă realizate în variante clasice; variante de tiristoare activate optic cu sensibilitate spo- rită la amorsare şi imunitate internă la semnale de zgomot; senzori optici pe siliciu monocristalin cu răspuns spectral controlat; circuite electronice pentru testarea dispozitivelor de putere; varian- te ameliorate de circuite integrate analogice etc. Numeroasele sale contribuţii ştiinţifice au fost confirmate pe plan internaţional: formularea unitară a teoriei distrugerii dispozitivelor semi- conductoare de putere în regim de suprasarcină şi verificarea experimentală; avansarea concep- tului de „dublă interdigitare” sau „de două nivele de interdigitare”; clasificarea teoretică a particu- larităţilor câmpurilor electrice interne în jonc- ţiuni semiconductoare de tip VLSI; elaborarea unei noi teorii (realiste) a joncţiunii liniar-grada- te; avansarea unei soluţii originale în proiectarea şi realizarea celulelor solare de eficienţă sporită pe siliciu monocristalin de arie mare fabricate atât prin implantare ionică, cât şi prin difuzie etc. Rezultatele cercetărilor sale se regăsesc în peste 100 de lucrări, studii şi comunicări publicate în ţară şi în străinătate. Membru al Institutului de Inginerie Electronică din S.U.A. A fost distins cu Premiul „Traian Vuia” al Academiei Române.
Made with FlippingBook
RkJQdWJsaXNoZXIy Mjc3NjY=